취업/반도체 공부

반도체 공정별 발생할 수 있는 이슈

웨이퍼 -Si 순도 확보 : 이산화규소 + 탄소 -> 가열 후 얻어낸 단결정을 성장시켜 잉곳 만든다 산화 Deposition과의 차이 : Si를 소모하여 산화막을 형성 역할 1. 실리콘 표면 보호 2. 절연막 역할 3. MOS 내 Oxide 절연막 건식산화 습식산화 산화막 생성 속도 느림 산화막 생성 속도 빠름 절연 성질 좋음 절연 성질 별로 산화막 얇음 산화막 두꺼움 산소 수증기 111격자 구조가 110격자 구조 보다 빠르게 형성된다. (실리콘 원자 수 많음) + 배치(batch) 단위로 산화 공정 진행시 맨 앞뒤 웨이퍼는 가스 유량에 많은 영향을 받아 불균일한 막질 형성 -> 따라서 더미 웨이퍼를 배치해서 희생시키고 공정 필요한 중앙부분은 일정한 유량 확보하여 균일한 막질 형성 LOCOS ( Loca..

반도체 신뢰성 테스트 및 고장 분석

반도체 공정상 가속 테스트를 통해 만드렁진 칩 중 Side effect로 인해 정상적인 공정을 거친 소자또한 영향을 받아 발생하는 현상. [열화 현상] HCI ( Hot Carrier Injection ) [Short channel effect 중의 하나 ] Hot carrier ( 소스에서 드레인 사이의 강한 전계에 의해 가속된 carrier ( 전자, 정공) 이 실리콘 격자와 충돌하여 만들어진 전자나 정공이 Gate에 trap되거나 hot cariier 자체가 게이트에 Trap 되어 Vth가 증가한다. -> LDD(lighthly Doped Drain) 구조를 사용하여 해결 , 전계를 조금이나마 감소 시킨다. -> NBTI ( Negative Bias Temparature Instability ) P..

EDS

이전 공정들을 마치고 웨이퍼 단계에서 시행하는 첫번째 테스트 수율향상을 위해 필수적인 단계 반도체 테스트 1. 웨이퍼 테스트 - 프로브, 프로브 카드 2. 패키지 테스트 - 핸들러, 테스트 소켓 ESS(Environmental Stress Screening Tests:환경 스트레스 스크리닝시험) : 전자 또는 전자-기계 제품에 대해 가속수준의 환경 스트레스를 가하는 시험이다. 가속인자로는 열 사이클링, 랜덤한 진동, 전기적 스트레 스 등이 있다. Burn-in시험 : ESS의 한 형태로서 제조과정의 불량이 내포된 아이템들을 선별, 제거하기 위한 시험을 말한다. 이들 제품이 초기고장을 일으키므로 번인시험은 초기고장을 제거하기 위한 시험이라고 할 수 있다. 번인 - 초기고장률 감소를 위해서 스크리닝 디버깅(..

PN접합

p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킬경우 p-n 다이오드가 형성되게 됩니다. P형은 정공이 다수캐리어 n형은 전자가 다수캐리어 다이오드 = 전류를 한방향으로 흐르게 하는 정류작용을 하는 장치 P형 반도체와 N형 반도체를 접합 시킬 경우 접합 경계면에 두 전자와 정공의 농도차에 의해 확산 현상이 일어나게 됩니다. 자유전자는 N-> P형 반도체로 이동하며 정공은 P형-> N형 반도체로 이동하게 됩니다. 이러한 과정을 확산이라고 합니다. 확산 과정을 걸친 경과 P-N접합 경계면 주변으로 전자와 홀이 존재하지 않는 영역이 발생되게 됩니다. 이러한 영역을 '공핍영역'이라고 부르게 됩니다. [정공과 전자가 서로 끌어당겨 재결합하는 과정에서 없어지기 떄문에] 공핍층 안에서 N형 반도체는 양이온에 의해 + , P형반도..

[반도체/8대공정]비전공자와 함께 공부해보는 포토공정 (photo lithography)

8대 공정 웨이퍼 제조 > 산화 공정 > 포토 공정 > 에칭 공정 ( 식각 공정 ) > 증착 공정 / 이온주입 공정 > 금속배선 공정 > EDS 공정 > 패키징 공정 저도 함께 공부해가기 위해 작성하는 내용으로 틀리거나 보충했으면 좋겠다 하는 내용이 있으시면 지체없이 말씀해주세요!! 방문해주셔서 감사합니다. 1차적으로 생각한 내용 포토공정이란? 웨이퍼 위에 산화 공정을 통해 산화막을 씌운 뒤 포토 공정을 통해 원하는 회로를 전사시키는 공정 (회로를 기판 위에 찍는 방법이 사진 현상과 유사해서 포토공정이라고 한다.) 전사: 글이나 그림 따위를 옮기어 베낌 why? - 웨이퍼 위에 원하는 형상의 회로를 새겨둬야 반도체 후속 공정을 진행할 수 있기 떄문에 how? - PR을 이용해 마스크 상의 회로패턴을 웨이..

[반도체/소자]비전공자와 함께 공부해보는 MOS Capacitor

저도 함께 공부해가기 위해 작성하는 내용으로 전문성과 깊이가 많이 부족합니다.. 여러분들이 보셨을 때 보충하거나 이런 부분은 더 공부했으면 좋겠다 하는 내용이 있으시면 지체없이 말씀해주세요!! 방문해주셔서 감사합니다. 서적, 삼성 뉴스룸 등의 사이트들을 참고하여 공부했던 내용들입니다. 추가해야 할 내용 & 어려웠던 내용 페르미 준위 ? 역 바이어스 ? 각 상태별 게이트에 전압을 인가했을때 에너지 밴드의 변화 강반전 상태/ 약반전 상태

[반도체/8대공정]비전공자와 함께 공부해보는 산화공정

8대 공정웨이퍼 제조 > 산화 공정 > 포토 공정 > 에칭 공정 ( 식각 공정 ) > 증착 공정 / 이온주입 공정 > 금속배선 공정 > EDS 공정 > 패키징 공정 저도 함께 공부해가기 위해 작성하는 내용으로 틀리거나 보충했으면 좋겠다 하는 내용이 있으시면 지체없이 말씀해주세요!! 방문해주셔서 감사합니다. 1차적으로 생각한 내용 산화공정 : 웨이퍼 위에 절연막 역할을 하는 산화막을 형성 시키는 공정 (증착공정이랑 비슷한건가?- 차이점 ) why? 반도체 공정중에 발생할수 있는 누설전류 차단 및 방지막 역할을 하기 위해서how? 고온에서 실리콘과의 반응을 이용해 산화막을 형성 -> 산화 방식에 따라 건식산화 , 습식산화로 구분짓게 됩니다. 건식산화 : 실리콘 원자와 산소 원자를 고온에서 반응시켜 실리콘 산..

[반도체/8대공정]비전공자와 함께 공부해보는 CMP 공정

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