8대 공정
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1차적인 생각
앞선 공정( 포토,식각, 이온주입)들을 통해 반도체에 만들고자 하는 패턴의 회로를 새겨넣었다면
금속배선 공정을 통해 회로 위로 금속배선을 이어줘서 반도체에 외부에서 인가된 전기적 신호를 잘 전달되게 만들어 주는 것
이때 배선에 사용되는 대표적인 금속
1. 구리 -> cu 이중 다마신 공정 등장
2. 알루미늄
금속공정에 사용되는 금속배선이 갖춰야 할 요건
1. 하부 절연막과의 부착강도가 뛰어나야 한다.
2. 전기 저항이 낮아야 함 (신호 지연 및 전압 하강 문제 방지)
3. 후속 공정에 있어서 열적, 화학적으로 안정해야 함
4. 포토 및 식각 공정을 통한 패턴형성이 용이
5. 높은 신뢰성 ( 오동작 방지 )
6. 낮은 원가 ( 높은 생산성 )
반도체 제조 공정
전 단계 공정
- 웨이퍼 투입부터 트랜지스터가 만들어지는 공정
중간 단계 공정
-층간절연막 (ILD)를 뚫어 제 1 금속층과 실리콘 기판 상의 P-N 접합 확산층 OR 게이트 등을 연결하는 과정
- 콘택 홀 및 플러그 형성
후 단계 공정
-금속층간절연막을 뚫어 상하부 금속층을 서로 연결
- 비아 홀, 다층 금송층, 최종 보호막 형성
금속 배선에 사용되는 대표적인 금속의 특징
1. 구리 -> cu 이중 다마신 공정 등장
-장점
1) 높은 반도체 신뢰성 확보
2) 비저항이 낮아 미세한 패턴 제작 가능
3) 알루미늄 대비 높은 녹는점
-단점
1) etch가 어렵다
2) 패턴 형성의 어려움 -> 다마신 공정을 통해 해결
2. 알루미늄
-장점
1) 높은 전도도, 낮은 접촉 저항
2) 양호한 부착성
3) 뛰어난 가공성
-단점
1) 부식이 잘된다
2) 낮은 녹는점
3) 실리콘과 만나면 섞이려고함 ( barrier metal 이용해서 방지 )
4) 짧은 수명
장점 | 단점 | |
구리 |
1) 높은 반도체 신뢰성 확보 2) 비저항이 낮아 미세한 패턴 제작 가능 3) 알루미늄 대비 높은 녹는점 |
1) etch가 어렵다 2) 패턴 형성의 어려움 -> 다마신 공정을 통해 해결 |
알루미늄 |
1) 높은 전도도, 낮은 접촉 저항 2) 양호한 부착성 3) 뛰어난 가공성 |
1) 부식이 잘된다 2) 낮은 녹는점 3) 실리콘과 만나면 섞이려고함 ( barrier metal 이용해서 방지 ) 4) 짧은 수명
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알루미늄 배선에서 발생한 문제점
1) 접합 스파이킹
위에서 말한 것처럼 알루미늄은 실리콘과 직접 접촉하면 섞이려는 성질이 있다.
따라서 알루미늄과 실리콘이 직접 접촉된 상태에서 열처리를 해주면 실리콘이 알루미늄으로 녹아들어가서 빈 실리콘의 자리를 알루미늄이 채운다.
이때 발생된 모양이 운동하 밑창의 스파이크처럼 뾰족뾰족해서 접합 스파이킹이라고 하는 듯
-> 해결 방법 : 알루미늄에 실리콘 약간 첨가 or barrier metal 이용
2) 전자이동 불량 현상
-> 이러한 문제점과 다양한 이유떄문에 구리의 도입 필요성이 대두되었을 듯
구리 배선에서 발생한 문제점
-구리배선에도 다양한 장점들이 있지만 해결해야할 문제들과 해결책이 있다.
1) 식각의 어려움
- 휘발성 반응 부산물 형성 불가능하기 때문에
2) 침입형 확산 특성 -> Cu다마신 공정 제시
https://www.youtube.com/watch?v=ds8RLUdjqLs
다마신 공정이란?
추가할 내용
다마신 공정이란?
어려웠던 내용 및 개념
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